Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
针数 | 119 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 4 ns |
其他特性 | PIPELINE ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
长度 | 22 mm |
内存密度 | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 119 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.4 mm |
最大待机电流 | 0.01 A |
最小待机电流 | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.375 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 14 mm |
GVT71256G18B-5 | GVT71256G18T-5 | GVT71256G18T-3 | GVT71256G18B-6 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 | Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | BGA | QFP | QFP | BGA |
包装说明 | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
针数 | 119 | 100 | 100 | 119 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 4 ns | 4 ns | 3.5 ns | 4 ns |
其他特性 | PIPELINE ARCHITECTURE | PIPELINE ARCHITECTURE | PIPELINE ARCHITECTURE | PIPELINE ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 133 MHz | 166 MHz | 117 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B119 |
长度 | 22 mm | 20 mm | 20 mm | 22 mm |
内存密度 | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 119 | 100 | 100 | 119 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX18 | 256KX18 | 256KX18 | 256KX18 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | LQFP | LQFP | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.4 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 2.4 mm |
最大待机电流 | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A |
最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.375 mA | 0.375 mA | 0.425 mA | 0.35 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL | GULL WING | GULL WING | BALL |
端子节距 | 1.27 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM | QUAD | QUAD | BOTTOM |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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