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GVT71256G18B-5

产品描述Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
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文件大小510KB,共16页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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GVT71256G18B-5概述

Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119

GVT71256G18B-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码BGA
包装说明14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4 ns
其他特性PIPELINE ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.375 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm

GVT71256G18B-5相似产品对比

GVT71256G18B-5 GVT71256G18T-5 GVT71256G18T-3 GVT71256G18B-6
描述 Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码 BGA QFP QFP BGA
包装说明 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
针数 119 100 100 119
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 4 ns 4 ns 3.5 ns 4 ns
其他特性 PIPELINE ARCHITECTURE PIPELINE ARCHITECTURE PIPELINE ARCHITECTURE PIPELINE ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 166 MHz 117 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119
长度 22 mm 20 mm 20 mm 22 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1
端子数量 119 100 100 119
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX18 256KX18 256KX18 256KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA LQFP LQFP BGA
封装等效代码 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.4 mm 1.6 mm 1.6 mm 2.4 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.375 mA 0.375 mA 0.425 mA 0.35 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL GULL WING GULL WING BALL
端子节距 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM QUAD QUAD BOTTOM
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

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