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HB56D436BR-8B

产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX36, 80ns, MOS, SIMM-72
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文件大小265KB,共12页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56D436BR-8B概述

Fast Page DRAM Module, 4MX36, 80ns, MOS, SIMM-72

HB56D436BR-8B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明,
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度18
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置SINGLE

HB56D436BR-8B相似产品对比

HB56D436BR-8B HB56D436SBR-7B HB56D436BR-7B HB56D436SBR-8B HB56D436BR-6B HB56D436SBR-6B
描述 Fast Page DRAM Module, 4MX36, 80ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX36, 70ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX36, 70ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX36, 80ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX36, 60ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX36, 60ns, MOS, SIMM-72
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
针数 72 72 72 72 72 72
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 70 ns 70 ns 80 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度 18 18 18 18 18 18
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 36 36 36 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72 72 72
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX36 4MX36 4MX36 4MX36 4MX36 4MX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 2048 2048
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
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