IS62WV10248DALL-55TI,IS62WV10248DALL-55TI pdf中文资料,IS62WV10248DALL-55TI引脚图,IS62WV10248DALL-55TI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS62WV10248DALL-55TI: 产品描述1MX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, TSSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小457KB，共15页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS62WV10248DALL-55TI概述

1MX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, TSSOP2-44

IS62WV10248DALL-55TI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSSOP
包装说明	TSSOP2-44
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	18.415 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	44
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00004 A
最小待机电流	1.4 V
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

IS62WV10248DALL-55TI相似产品对比

	IS62WV10248DALL-55TI	IS62WV10248DBLL-55MI	IS62WV10248DBLL-55TI	IS65WV10248DBLL-55CTLA3	IS62WV10248DALL-55MLI	IS62WV10248DALL-55MI	IS62WV10248DALL-55TLI
描述	1MX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, TSSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, MINI, BGA-48	1MX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, TSSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, MINI, BGA-48	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSSOP2-44
是否无铅	含铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	符合	符合	不符合	符合
零件包装代码	TSSOP	BGA	TSSOP	TSSOP	BGA	BGA	TSSOP
包装说明	TSSOP2-44	TFBGA, BGA48,6X8,30	TSSOP2-44	TSOP2, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44	48	44	44	48	48	44
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e3	e1	e0	e3
长度	18.415 mm	11 mm	18.415 mm	18.415 mm	11 mm	11 mm	18.415 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	48	44	44	48	48	44
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TFBGA	TSOP2	TSOP2	TFBGA	TFBGA	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	260
电源	1.8/2 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	1.8/2 V	1.8/2 V	1.8/2 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A	0.000095 A	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A
最小待机电流	1.4 V	1.4 V	1.4 V	1.4 V	1.4 V	1.4 V	1.4 V
最大压摆率	0.025 mA	0.022 mA	0.022 mA	0.035 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	2.2 V	3.6 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	1.65 V	1.65 V	2.4 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	3 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	AUTOMOTIVE	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.75 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	10	10	NOT SPECIFIED	10
宽度	10.16 mm	9 mm	10.16 mm	10.16 mm	9 mm	9 mm	10.16 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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