TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363VAR
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.1 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
表面贴装 | YES |
SSM6P15FE(TPL3,F) | SSM6P15FE(TE85L) | |
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描述 | TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363VAR | TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363VAR |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.1 A | 0.1 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W | 0.15 W |
表面贴装 | YES | YES |
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