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ABP1602-863

产品描述Mixer Diode, Low Barrier, KU Band, 8dB Noise Figure, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小311KB,共6页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ABP1602-863概述

Mixer Diode, Low Barrier, KU Band, 8dB Noise Figure, Silicon,

ABP1602-863规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明O-XRDB-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容0.15 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带KU BAND
JESD-30 代码O-XRDB-F3
最大噪声指数8 dB
元件数量2
端子数量3
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
脉冲输入最大功率0.075 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
肖特基势垒类型LOW BARRIER

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