Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 250ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Advanced Semiconductor, Inc. |
包装说明 | R-CUMW-N4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
频带 | X BAND |
最大阻抗 | 250 Ω |
JESD-30 代码 | R-CUMW-N4 |
最大噪声指数 | 6.5 dB |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROWAVE |
脉冲输入最大功率 | 0.1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
肖特基势垒类型 | LOW BARRIER |
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