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MMBTA13G-AE3-R

产品描述DARLINGTON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MMBTA13G-AE3-R概述

DARLINGTON TRANSISTOR

MMBTA13G-AE3-R规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)10000
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBTA13
Preliminary
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
DARLINGTON TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC
MMBTA13
is a Darlington transistor.
3
FEATURES
2
1
* Collector-Emitter Voltage: V
CES
= 30V
* Collector Dissipation: P
C(MAS)
= 350 mW
SOT-23
(JEDEC TO-236)
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Package
B: Base
SOT-23
C: Collector
Pin Assignment
1
2
3
E
B
C
Packing
Tape Reel
Note:
MMBTA13G-AE3-R
Pin Assignment: E: Emitter
MARKING
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R206-006.d

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