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UK1398G-T92-K

产品描述N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小231KB,共5页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UK1398G-T92-K概述

N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING

UK1398G-T92-K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-92
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
最大漏源导通电阻40 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UK1398
N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH
SPEED SWITCHING
DESCRIPTION
Power MOSFET
The UTC
UK1398
uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation with low gate
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
FEATURES
* R
DS(ON)
<40Ω @ V
GS
=2.5V, I
D
=10mA
* R
DS(ON)
<20Ω @ V
GS
=4.0V, I
D
=10mA
* Low capacitance
* Low gate charge
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
SYMBOL
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
-
UK1398G-AE3-R
UK1398L-T92-B
UK1398G-T92-B
UK1398L-T92-K
UK1398G-T92-K
Package
SOT-23
TO-92
TO-92
Pin Assignment
1
2
3
S
G
D
S
D
G
S
D
G
Packing
Tape Reel
Tape Box
Bulk
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R502-256.J

UK1398G-T92-K相似产品对比

UK1398G-T92-K UK1398_15 UK1398G-AE3-R UK1398G-T92-B UK1398L-T92-K
描述 N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-92 - - TO-92 TO-92
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 - HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3
针数 3 - 3 3 3
Reach Compliance Code compli - compli compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V - 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最大漏源导通电阻 40 Ω - 40 Ω 40 Ω 40 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-92 - - TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - R-PDSO-G3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 - 1 1 1
端子数量 3 - 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - RECTANGULAR ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - SMALL OUTLINE CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO - YES NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - DUAL BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
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