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UF830L-TN3-R

产品描述4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小326KB,共9页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UF830L-TN3-R概述

4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET

UF830L-TN3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)300 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)4.5 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UF830
4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
Power MOSFET
The N-Channel enhancement mode silicon gate power
MOSFET is designed for high voltage, high speed power
switching applications such as switching regulators, switching
converters, solenoid, motor drivers, relay drivers.
FEATURES
* R
DS(ON)
<1.5Ω @ V
GS
=10V
* Single Pulse Avalanche Energy Rated
* Rugged- SOA is Power Dissipation Limited
* Fast Switching Speeds
* Linear Transfer Characteristics
* High Input Impedance
SYMBOL
ORDERING INFORMATION
Pin Assignment
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Packing
Tube
Tube
Tube
Tube
Tube
Tube
Tape Reel
Tube
Tape Reel
Tube
Ordering Number
Package
Lead Free
Halogen Free
UF830L-TA3-T
UF830G-TA3-T
TO-220
UF830L-TF3-T
UF830G-TF3-T
TO-220F
UF830L-TF1-T
UF830G-TF1-T
TO-220F1
UF830L-TF2-T
UF830G-TF2-T
TO-220F2
UF830L-TM3-T
UF830G-TM3-T
TO-251
UF830L-TMS-T
UF830G-TMS-T
TO-251S
UF830L-TN3-R
UF830G-TN3-R
TO-252
UF830L-T2Q-T
UF830G-T2Q-T
TO-262
UF830L-TQ2-R
UF830G-TQ2-R
TO-263
UF830L-TQ2-T
UF830G-TQ2-T
TO-263
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2015 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 9
QW-R502-046.I

UF830L-TN3-R相似产品对比

UF830L-TN3-R UF830-F UF830G-TA3-T UF830G-TF3-T UF830L-TF3-T
描述 4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL JFET FOR ELECTRET CONDENSER MICROPHONE 4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET 4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET 4.5A, 500V, 1.5Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-252 - TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 4 - 3 3 3
Reach Compliance Code compli - compli compli compli
雪崩能效等级(Eas) 300 mJ - 300 mJ 300 mJ 300 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V - 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 4.5 A - 4.5 A 4.5 A 4.5 A
最大漏源导通电阻 1.5 Ω - 1.5 Ω 1.5 Ω 1.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 - TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 18 A - 18 A 18 A 18 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - NO NO NO
端子形式 GULL WING - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
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