18 A, 200 V, 0.18 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 零件包装代码 | TO-252 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 580 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 18 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| UF640G-TN3-T | UF640L-TN3-T | UF640_11 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 18 A, 200 V, 0.18 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET | 18 A, 200 V, 0.18 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET | 18 A, 200 V, 0.18 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - |
| 零件包装代码 | TO-252 | TO-252 | - |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - |
| 针数 | 4 | 4 | - |
| Reach Compliance Code | compli | compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 580 mJ | 580 mJ | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A | 18 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 18 A | 18 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω | 0.18 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | TO-252 | TO-252 | - |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 2 | 2 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 83 W | 83 W | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A | 72 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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