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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UTD452G-TN3-T
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UTD452G-TN3-T

产品描述N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小215KB，共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UTD452G-TN3-T概述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UTD452G-TN3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (ID)55 A
最大漏源导通电阻0.0085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

UTD452G-TN3-T相似产品对比

UTD452G-TN3-T UTD452 UTD452-TN3-R UTD452-TN3-T UTD452G-TN3-R UTD452L-TN3-R UTD452L-TN3-T
描述 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
是否Rohs认证 符合 - - - 符合 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-252 - TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 - 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V - 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
最大漏极电流 (ID) 55 A - 55 A 55 A 55 A 55 A 55 A
最大漏源导通电阻 0.0085 Ω - 0.0085 Ω 0.0085 Ω 0.0085 Ω 0.0085 Ω 0.0085 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 - TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A - 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A
表面贴装 YES - YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 1

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器件捷径:   L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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