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UT5003G-S08-R

产品描述DUAL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL/P-CHANNEL)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小287KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UT5003G-S08-R概述

DUAL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL/P-CHANNEL)

UT5003G-S08-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompli
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏源导通电阻0.0275 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

UT5003G-S08-R相似产品对比

UT5003G-S08-R UT5003_15
描述 DUAL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL/P-CHANNEL) DUAL ENHANCEMENT MODE
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