DUAL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL/P-CHANNEL)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏源导通电阻 | 0.0275 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
UT5003G-S08-R | UT5003_15 | |
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描述 | DUAL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL/P-CHANNEL) | DUAL ENHANCEMENT MODE |
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