P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | LEAD FREE PACKAGE-6 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.065 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
UT3443L-AG6-R | UT3443 | |
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描述 | P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET | P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET |
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