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USS5350G-AB3-R

产品描述50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小149KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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USS5350G-AB3-R概述

50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

USS5350G-AB3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
USS5350
Preliminary
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
50V,3A PNP LOW V
CE(SAT)
TRANSISTOR
1
FEATURES
* Low collector-emitter saturation voltage V
CE(SAT)
* High collector current capability: I
C
and I
CM
* Higher efficiency leading to less heat generation
* Reduced printed-circuit board requirements.
* Complement: USS4350.
SOT-89
1
SOT-223
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
USS5350L-AB3-R
USS5350G-AB3-R
USS5350L-AA3-R
USS5350G-AA3-R
Package
SOT-89
SOT-223
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
B
C
E
Packing
Tape Reel
Tape Reel
USS5350L-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Lead Free
(1) R: Tape Reel
(2) AA3: SOT-223, AB3: SOT-89
(3) G: Halogen Free, L: Lead Free
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., LTD
1 of 3
QW-R223-005.C

USS5350G-AB3-R相似产品对比

USS5350G-AB3-R USS5350G-AA3-R USS5350L-AA3-R USS5350L-AB3-R
描述 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-4 LEAD FREE PACKAGE-4 LEAD FREE PACKAGE-3
针数 3 4 4 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 200 200 200
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 4 4 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.4 W 2 W 2 W 1.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT GULL WING GULL WING FLAT
端子位置 SINGLE DUAL DUAL SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
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