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DTB143EL-AL3-R

产品描述PNP DIGITAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小172KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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DTB143EL-AL3-R概述

PNP DIGITAL TRANSISTOR

DTB143EL-AL3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)47
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

DTB143EL-AL3-R相似产品对比

DTB143EL-AL3-R DTB143EG-T92-R DTB143EL-AE3-R DTB143EL-T92-K DTB143EL-T92-R DTB143E_12
描述 PNP DIGITAL TRANSISTOR PNP DIGITAL TRANSISTOR PNP DIGITAL TRANSISTOR PNP DIGITAL TRANSISTOR PNP DIGITAL TRANSISTOR PNP DIGITAL TRANSISTOR
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 -
Reach Compliance Code compli - compli compli compli -
最大集电极电流 (IC) 0.5 A - 0.5 A 0.5 A 0.5 A -
最小直流电流增益 (hFE) 47 - 47 47 47 -
元件数量 1 - 1 1 1 -
极性/信道类型 PNP - PNP PNP PNP -
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W - 0.2 W 0.625 W 0.625 W -
表面贴装 YES - YES NO NO -
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON -

 
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