PNP DIGITAL TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compli |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 47 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
Base Number Matches | 1 |
DTB143EL-AL3-R | DTB143EG-T92-R | DTB143EL-AE3-R | DTB143EL-T92-K | DTB143EL-T92-R | DTB143E_12 | |
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描述 | PNP DIGITAL TRANSISTOR | PNP DIGITAL TRANSISTOR | PNP DIGITAL TRANSISTOR | PNP DIGITAL TRANSISTOR | PNP DIGITAL TRANSISTOR | PNP DIGITAL TRANSISTOR |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 | - |
Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli | - |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | - | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | - |
最小直流电流增益 (hFE) | 47 | - | 47 | 47 | 47 | - |
元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | - |
极性/信道类型 | PNP | - | PNP | PNP | PNP | - |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W | - | 0.2 W | 0.625 W | 0.625 W | - |
表面贴装 | YES | - | YES | NO | NO | - |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | SILICON | - |
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