DCR1279SD45,DCR1279SD45 pdf中文资料,DCR1279SD45引脚图,DCR1279SD45电路-Datasheet-电子工程世界

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DCR1279SD45: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 860000mA I(T), 4500V V(DRM),; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小318KB，共8页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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DCR1279SD45概述

Silicon Controlled Rectifier, 860000mA I(T), 4500V V(DRM),

DCR1279SD45规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
关态电压最小值的临界上升速率	300 V/us
最大直流栅极触发电流	400 mA
最大直流栅极触发电压	4 V
最大维持电流	500 mA
最大漏电流	150 mA
通态非重复峰值电流	12000 A
最大通态电流	860000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
断态重复峰值电压	4500 V
表面贴装	NO
触发设备类型	SCR

DCR1279SD45相似产品对比

	DCR1279SD45	FM2DZ14P2391MLF	DCR1279SD48	DCR1279SD46	DCR1279SD47
描述	Silicon Controlled Rectifier, 860000mA I(T), 4500V V(DRM),	Cable Assembly,	Silicon Controlled Rectifier, 860000mA I(T), 4800V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 860000mA I(T), 4600V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 860000mA I(T), 4700V V(DRM),
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown
最高工作温度	125 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-20 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
厂商名称	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi	Microsemi
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
关态电压最小值的临界上升速率	300 V/us	-	300 V/us	300 V/us	300 V/us
最大直流栅极触发电流	400 mA	-	400 mA	400 mA	400 mA
最大直流栅极触发电压	4 V	-	4 V	4 V	4 V
最大维持电流	500 mA	-	500 mA	500 mA	500 mA
最大漏电流	150 mA	-	150 mA	150 mA	150 mA
通态非重复峰值电流	12000 A	-	12000 A	12000 A	12000 A
最大通态电流	860000 A	-	860000 A	860000 A	860000 A
断态重复峰值电压	4500 V	-	4800 V	4600 V	4700 V
表面贴装	NO	-	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	-	SCR	SCR	SCR

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