K7P403622B-HC160,K7P403622B-HC160 pdf中文资料,K7P403622B-HC160引脚图,K7P403622B-HC160电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K7P403622B-HC160

K7P403622B-HC160: 产品描述Standard SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小280KB，共13页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数选型对比全文预览

K7P403622B-HC160概述

Standard SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

K7P403622B-HC160规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

K7P403622B-HC160相似产品对比

	K7P403622B-HC160	K7P401822B-HC160	K7P401822B-HC20T	K7P401822B-HC200	K7P403622B-HC250	K7P403622B-HC200	K7P401822B-HC250
描述	Standard SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 256KX18, 2.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 256KX18, 2.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 128KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 256KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,
针数	119	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
最长访问时间	3 ns	3 ns	-	2.7 ns	2.5 ns	2.7 ns	2.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	-	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
长度	22 mm	22 mm	-	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	-	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	18	-	18	36	36	18
功能数量	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	119	119	-	119	119	119	119
字数	131072 words	262144 words	-	262144 words	131072 words	131072 words	262144 words
字数代码	128000	256000	-	256000	128000	128000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX36	256KX18	-	256KX18	128KX36	128KX36	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	-	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	-	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	-	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

K7P403622B-HC160

K7P403622B-HC160概述

K7P403622B-HC160规格参数

K7P403622B-HC160相似产品对比

推荐资源