MTB3N120E,MTB3N120E pdf中文资料,MTB3N120E引脚图,MTB3N120E电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MTB3N120E

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MTB3N120E: 产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1.2KV V(BR)DSS,3A I(D),TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小719KB，共11页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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MTB3N120E概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1.2KV V(BR)DSS,3A I(D),TO-263AB

MTB3N120E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
表面贴装	YES

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