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TN6717AD26Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小613KB,共12页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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TN6717AD26Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226

TN6717AD26Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-226
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226 双极小信号 npn dbl-dif SI exptl plnr Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226 Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226 Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown compliant unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A
配置 SINGLE Single SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50 50 50 50 50 50
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO YES NO NO NO NO NO
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 80 V - 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - R-PDSO-G4 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
端子数量 3 - 4 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - RECTANGULAR ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - SMALL OUTLINE CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - DUAL BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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