2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 22ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.3 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 22 ns |
| 其他特性 | HARDWARE STORE/RECALL; AUTOMATIC STORE TIMING |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 34.67 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.00075 A |
| 最大压摆率 | 0.095 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| STK10C48-P20 | STK10C48-N20 | STK10C48-S20 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 22ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 22ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 22ns, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.3 | SOP, SOP28,.4 | SOP, SOP28,.5 |
| 针数 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 22 ns | 22 ns | 22 ns |
| 其他特性 | HARDWARE STORE/RECALL; AUTOMATIC STORE TIMING | HARDWARE STORE/RECALL; AUTOMATIC STORE TIMING | HARDWARE STORE/RECALL; AUTOMATIC STORE TIMING |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 34.67 mm | 17.9 mm | 18.085 mm |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bi |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 | SOP28,.4 | SOP28,.5 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm | 2.65 mm | 2.54 mm |
| 最大待机电流 | 0.00075 A | 0.00075 A | 0.00075 A |
| 最大压摆率 | 0.095 mA | 0.095 mA | 0.095 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.5 mm | 8.765 mm |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | - | Cypress(赛普拉斯) |
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