2SC3647G-R-AB3-R,2SC3647G-R-AB3-R pdf中文资料,2SC3647G-R-AB3-R引脚图,2SC3647G-R-AB3-R电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC3647G-R-AB3-R

2SC3647G-R-AB3-R: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小330KB，共5页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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2SC3647G-R-AB3-R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE PACKAGE-3

2SC3647G-R-AB3-R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz
Base Number Matches	1

2SC3647G-R-AB3-R相似产品对比

	2SC3647G-R-AB3-R	2SC3647G-T-AB3-R	2SC3647G-S-AB3-R	2SC3647L-R-AB3-R	2SC3647L-T-AB3-R	2SC3647L-S-AB3-R
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100	200	140	100	200	140
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-

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