Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> SKKT122/08D

SKKT122/08D: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 195A I(T)RMS, 122000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CASE A21, SEMIPACK 2, 7 PIN; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小804KB，共4页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com; 标准

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SKKT122/08D概述

Silicon Controlled Rectifier, 195A I(T)RMS, 122000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CASE A21, SEMIPACK 2, 7 PIN

SKKT122/08D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMIKRON
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数	7
制造商包装代码	CASE A21
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	UL RECOGNIZED
外壳连接	ISOLATED
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流	150 mA
最大直流栅极触发电压	2 V
快速连接描述	2G-2GR
螺丝端子的描述	A-K-AK
最大维持电流	300 mA
JESD-30 代码	R-XUFM-X7
JESD-609代码	e2
最大漏电流	40 mA
通态非重复峰值电流	3600 A
元件数量	2
端子数量	7
最大通态电流	122000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	195 A
断态重复峰值电压	800 V
重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR

SKKT122/08D文档预览

SKKT 122, SKKH 122

Symbol

Conditions

Values

Units

SEMIPACK

Thyristor / Diode Modules

SKKT 122

SKKH 122

Features

Typical Applications

SKKT

SKKH

29-01-2004 NOS

SKKT 122, SKKH 122

Fig. 1L Power dissipation per thyristor vs. on-state current

Fig. 1R Power dissipation per thyristor vs. ambient temp.

Fig. 2L Power dissipation per module vs. rms current

Fig. 2R Power dissipation per module vs. case temp.

Fig. 3L Power dissipation of two modules vs. direct current

Fig. 3R Power dissipation of two modules vs. case temp.

29-01-2004 NOS

SKKT 122, SKKH 122

Fig. 4L Power dissipation of three modules vs. direct and rms current

Fig. 4R Power dissipation of three modules vs. case temp.

Fig. 5 Recovered charge vs. current decrease

Fig. 6 Transient thermal impedance vs. time

Fig. 7 On-state characteristics

Fig. 8 Surge overload current vs. time

29-01-2004 NOS

SKKT 122, SKKH 122

Dimensions in mm

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee

expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.

29-01-2004 NOS

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SKKT122/08D相似产品对比

	SKKT122/08D	SKKH122/08D
描述	Silicon Controlled Rectifier, 195A I(T)RMS, 122000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CASE A21, SEMIPACK 2, 7 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 195A I(T)RMS, 122000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, CASE A22, SEMIPACK 2, 5 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	SEMIKRON	SEMIKRON
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数	7	5
制造商包装代码	CASE A21	CASE A22
Reach Compliance Code	compliant	compliant
其他特性	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流	150 mA	150 mA
最大直流栅极触发电压	2 V	2 V
快速连接描述	2G-2GR	G-GR
螺丝端子的描述	A-K-AK	A-K-AK
最大维持电流	300 mA	300 mA
JESD-30 代码	R-XUFM-X7	R-XUFM-X5
JESD-609代码	e2	e2
最大漏电流	40 mA	40 mA
通态非重复峰值电流	3600 A	3600 A
元件数量	2	1
端子数量	7	5
最大通态电流	122000 A	122000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	195 A	195 A
断态重复峰值电压	800 V	800 V
重复峰值反向电压	800 V	800 V
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR

SKKT122/08D

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