IRF744-030,IRF744-030 pdf中文资料,IRF744-030引脚图,IRF744-030电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF744-030

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IRF744-030: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小69KB，共2页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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IRF744-030概述

Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF744-030规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	450 V
最大漏极电流 (ID)	8.8 A
最大漏源导通电阻	0.63 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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