Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | FAST SPEED |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRGCC50MEPBF | |
|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | FAST SPEED |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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