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IDT71V2576S133BQG

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小620KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V2576S133BQG概述

Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

IDT71V2576S133BQG规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.2 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
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