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FR3K

产品描述3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共2页
制造商TAYCHIPST
官网地址http://www.taychipst.com
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FR3K概述

3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

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FR3A THRU FR3M
50V-1000V
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS
3.0A
Features
!
!
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction
Ideally Suited for Automatic Assembly
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency
Surge Overload Rating to 100A Peak
Low Power Loss
Fast Recovery Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
Mechanical Data
!
!
!
!
!
Case: Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
Weight: 0.21 grams (approx.)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
FR3A FR3B FR3D
FR3G FR3J
FR3K FR3M
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
Amps
Volts
µ
A
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
L
=75 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
100.0
1.3
5.0
100.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
150
250
60.0
50.0
-65 to +150
500
ns
pF
C/W
C
Note:1.Reverse
recovery condition I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
E-mail: sales@taychipst.com
1 of 2
Web Site: www.taychipst.com

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