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FR206F

产品描述2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共2页
制造商TAYCHIPST
官网地址http://www.taychipst.com
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FR206F概述

2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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FR201G-FR207G
50V-1000V
GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIERS
2.0A
FEATURES
*
*
*
*
*
*
High reliability
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Glass passivated junction
High switching capability
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.38 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
o
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=55 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range T
J
, T
STG
NOTES:
FR201G FR202G FR203G FR204G FR205G FR206G FR207G
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
70
1.3
5.0
100
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
150
40
-65 +150
250
500
µA
nS
pF
C
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
E-mail: sales@taychipst.com
1 of 2
Web Site: www.taychipst.com

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