5.0SMCJ12A ... 5.0SMCJ170CA
5.0SMCJ12A ... 5.0SMCJ170CA
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2019-07-11
SMC
~ DO-214AB
7.9
±0.2
2.2
±0.3
2.1
±0.2
P
PPM
= 5000 W
P
M(AV)
= 6.0 W
T
jmax
= 150°C
V
WM
= 12 ... 170 V
V
BR
= 14 ... 200 V
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified
1
)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 5000 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert
1
)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
5000 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
5000 / 13“
0.21 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
1.2
0.15
5.8
±0.2
Type
Typ
3
RoHS
7.2
±0.5
Dimensions - Maße [mm]
Type = Part number. Cathode mark
only at unidirectional types
Typ = Artikel-Nr. Kathoden-Markierung nur
bei unidirektionalen Typen
For bidirectional types (suffix “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings
2
)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
T
T
= 75°C
60 Hz (8.3 ms)
P
PPM
P
M(AV)
I
FSM
T
j
T
S
EL
V
Pb
EE
WE
Grenzwerte
2
)
5000 W
3
)
6.0 W
300 A
4
)
-55...+150°C
-55...+150°C
Characteristics
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
I
F
= 100 A V
BR
≤ 200 V
V
F
R
thA
R
thT
Kennwerte
< 3.5 V
4
)
33 K/W
5
)
10 K/W
Typ. thermal resistance junction to ambien – Typ.Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ.Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
1
2
3
4
5
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
5.0SMCJ12A ... 5.0SMCJ170CA
120
[%]
100
100
[%]
t
r
= 10 µs
80
80
60
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
40
I
PP
20
P
PP
1
40
I
PP
20
P
PP
0
0
t
P
0
t
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
0
T
A
50
100
150
[°C]
Peak pulse power/current vs. ambient temperature
1
)
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.
1
)
10
3
[kW]
10
2
10
P
PP
1
0.1µs
t
P
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
3
MEMS传感器
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