LVT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 系列 | LVT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| 长度 | 24.195 mm |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 2 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 3.6 ns |
| 传播延迟（tpd） | 3.9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| SNJ54LVT244BJ | SNJ54LVT244BFK | SNJ54LVT244BW | |
|---|---|---|---|
| 描述 | LVT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | LVT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | LVT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20, CERAMIC, FP-20 |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC | DFP |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ | DFP, FL20,.3 |
| 针数 | 20 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 控制类型 | ENABLE LOW | ENABLE LOW | ENABLE LOW |
| 系列 | LVT | LVT | LVT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | S-CQCC-N20 | R-GDFP-F20 |
| 长度 | 24.195 mm | 8.89 mm | 13.09 mm |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A | 0.048 A | 0.048 A |
| 位数 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | QCCN | DFP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | LCC20,.35SQ | FL20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | FLATPACK |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 3.6 ns | 3.6 ns | 3.6 ns |
| 传播延迟（tpd） | 3.9 ns | 3.9 ns | 3.9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm | 2.54 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm | 6.92 mm |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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