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SBLF530

产品描述5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小199KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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SBLF530概述

5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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SBLF530-SBLF5100
Schottky Barrier Rectifiers
VOLTAGE RANGE:
30
---
100
V
CURRENT:
5.0
A
Features
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
15.2± 0.5
10.2± 0.2
ITO-220AC
4.5± 0.2
3.1
+0.2
-0.1
φ
3.3± 0.1
16.5± 0.3
For use in low voltage,high frequency inverters free
xxx x
wheeling,and polarity protection applications
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
PIN
1
13.5± 0.5
2
4.0± 0.3
1.4± 0.1
0.6± 0.1
8.2± 0.2
High surge capability
Mechanical Data
Case:JEDEC ITO-220AC,molded plastic
Polarity: As marked
Weight: 0.056 ounces,1.587 gram
Mounting position: Any
5.0± 0.1
0.6± 0.1
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SBLF
SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF
530 535 540 545 550 560 580 5100
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
T
C
=95
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load T
J
=125
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 5.0A
Maximum reverse current
@T
C
=25
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
5.0
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
STG
0.55
175
? 3.2± 0.2
2.6± 0.2
A
0.70
0.5
33
3.0
-55--- + 150
-55--- + 150
0.85
V
mA
/W
at rated DC blocking voltage @T
C
=100
Typical thermal resistance
(Note1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note: 1. Thermal resistance junction to case.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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