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SBLF1050

产品描述10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小200KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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SBLF1050概述

10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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SBLF1030-SBLF10100
Schottky Barrier Rectifiers
VOLTAGE RANGE:
30
---
100
V
CURRENT:
10
A
ITO-220AC
Features
10.2± 0.2
4.5± 0.2
3.1
+0.2
-0.1
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
16.5± 0.3
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
xxx x
wheeling,and polarity protection applications
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
PIN
1
13.5± 0.5
2
4.0± 0.3
1.4± 0.1
0.6± 0.1
8.2± 0.2
Mechanical Data
Case:JEDEC ITO-220AC,molded plastic
Polarity: As marked
Weight: 0.056ounces,1.587 gram
Mounting position: Any
5.0± 0.1
0.6± 0.1
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SBLF
SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF SBLF
1030 1035 1040 1045 1050 1060 1080 10100
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
T
C
=110
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load T
J
=125
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 10 A
Maximum reverse current
@T
C
=25
? 3.2± 0.2
2.6± 0.2
Low forward voltage drop,low switching losses
φ
3.3± 0.1
15.2± 0.5
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
10
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
STG
250
A
0.60
1.0
50
5.0
0.75
0.85
V
mA
/W
at rated DC blocking voltage @T
C
=100
Typical thermal resistance
(Note1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note: 1. Thermal resistance junction to case.
-55--- + 150
-55--- + 150
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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