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SB2060CT

产品描述20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小147KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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SB2060CT概述

20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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SB2020CT-SB20100CT
20A Dual Schottky Barrier Rectifier
TO-220AB
2.8± 0.1
Features
!
!
!
!
!
!
Schottky Barrier Chip
Guard Ring for Transient Protection
Low Forward Voltage Drop
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
Plastic Material has UL Flammability
Classification 94V-O
10.2± 0.2
? 3.8± 0.15
4.5± 0.2
1.4± 0.2
19.0± 0.5
1
PIN
2 3
8.9± 0.2
2.6± 0.2
3.5± 0.3
13.8± 0.5
0.5± 0.1
PIN 1
PIN 3
CASE
PIN 2
0.9± 0.1
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: TO-220AB, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 2.24 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
2.5± 0.1
Dimensions in millimeters
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current @T
C
= 95°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
@I
F
= 10A
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
2020CT 2030CT 2040CT 2045CT 2050CT 2060CT 2080CT
20100CT
Unit
20
14
30
21
40
28
45
32
20
50
35
60
42
80
56
100
70
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
T
j
, T
STG
0.55
200
0.75
0.5
100
1100
-65 to +150
0.85
A
V
mA
pF
°C
Peak Reverse Current
@T
A
= 25°C
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
= 100°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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