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520301006R

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小606KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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520301006R概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

520301006R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
参考标准EUROPEAN SPACE AGENCY; RH - 100K Rad(Si)
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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2N5154HR
Hi-Rel NPN bipolar transistor 80 V, 5 A
Datasheet
-
production data
Features
V
CEO
80 V
5A
> 70
- 65 °C to + 200 °C
TO-39
I
C
(max)
TO-257
H
FE
at 10 V, 150 mA
Operating temperature range
Hi-Rel NPN bipolar transistor
Linear gain characteristics
SMD.5
ESCC qualified
European preferred part list - EPPL
Figure 1. Internal schematic diagram
Radiation level: lot specific total dose contact
marketing for specified level
Description
The 2N5154HR is a silicon planar epitaxial NPN
transistor in TO-39, TO-257 and SMD.5
packages. It is specifically designed for
aerospace Hi-Rel applications and ESCC
qualified according to the 5203/010 specification.
In case of conflict between this datasheet and
ESCC detailed specification, the latter prevails.
Base and Emitter are inverted for
2N5154RSRHRx and 2N5154SRHRx series
AM3128V1_n
Table 1. Device summary
Order code
2N5154HRx
TO-39
2N5154RHRx
2N5154ESYHRx
TO-257
2N5154RESYHRx
ESCC
2N5154RSHRx
2N5154SHRx
SMD.5
2N5154RSRHRx
2N5154SRHRx
May 2016
This is information on a product in full production.
Quality level
Agency
specification
Package
Other features
-
100 krad ESCC LDR
-
100 krad ESCC LDR
EPPL
5203/010
100 krad LDR, emitter on pin 1
Emitter on pin 1
100 krad LDR, emitter on pin 2
Emitter on pin 2
DocID15387 Rev 9
Yes
1/18
www.st.com

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520301006R 520301005R
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Reach Compliance Code compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 35
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 S-XSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最低工作温度 -65 °C -65 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
参考标准 EUROPEAN SPACE AGENCY; RH - 100K Rad(Si) EUROPEAN SPACE AGENCY; RH-100K Rad(Si)
表面贴装 YES NO
端子形式 NO LEAD PIN/PEG
端子位置 BOTTOM SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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