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MMBD355

产品描述SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    小信号肖特基二极管   
文件大小226KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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MMBD355概述

SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE

MMBD355规格参数

参数名称属性值
封装类型
Case Style
SOT-23
VRRM (V)7
VF (V)0.6
@ IF (A)10
Maximum reverse current10
TRR(nS)
classDiodes

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MMBD352-355
Dual Hot Carrier Mixer Diodes
SOT-23
Features
Very low capacitance—
Less than 1.0pF@zero V.
Low forward voltage—I
F
=10mA.
Power dissipation P
d
=300mW
Pb/RoHS Free
Applications
Designed primarily for UHF mixer applications.
Dimensions in inches and (millimeters)
MMBD352
MMBD353
MMBD354
MMBD355
Ordering Information
Type No.
MMBD352
MMBD353
MMBD354
MMBD355
Marking
M5G
M4F
M6H
MJ1
Package Code
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Parameter
Continuous reverse voltage
Power Dissipation
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient
Junction and storage temperature
Symbol
V
R
P
d
R
θJA
T
J
,T
STG
Limits
7.0
300
417
-55-150
Unit
V
mW
℃/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Forward voltage
Reverse current
Diode Capacitanc
Symbol
V
(BR)
V
F
I
R
C
D
1.0
Min.
7.0
0.60
0.25
10
Typ.
Max.
Unit
V
V
μA
pF
Conditions
I
R
=100μA
I
F
=10mA
V
R
=3.0V
V
R
=7.0V
V
R
=0V,f=1MHz
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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