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GVS22F

产品描述Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Single, 20V, 2A, 0.43V, 2A, 50A
产品类别分立半导体   
文件大小443KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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GVS22F概述

Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Single, 20V, 2A, 0.43V, 2A, 50A

GVS22F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码SMAF
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.43 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类别
VRRM (V) max20
IF (A) max2
VF (V) max0.43
Condition1_IF (A)2
IFSM (A) max50
IR (uA) max500
Condition2_VR (V)20
最高工作温度125
最低工作温度-55
是否无铅Yes
符合ReachYes
符合RoHSYes
ECCN代码EAR99
Package OutlinesSMAF
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