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KM44V4104ALLJ-7

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-24
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文件大小536KB,共18页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM44V4104ALLJ-7概述

EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-24

KM44V4104ALLJ-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ24/28,.44
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度18.42 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.66 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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