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IR250BG06D

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小153KB,共3页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IR250BG06D概述

Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER

IR250BG06D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码WAFER
包装说明UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流150 mA
JESD-30 代码O-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压600 V
重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

IR250BG06D相似产品对比

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描述 Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 39.25A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 39.25A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 WAFER WAFER WAFER WAFER WAFER WAFER
包装说明 UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
JESD-30 代码 O-XUUC-N O-XUUC-N O-XUUC-N O-XUUC-N O-XUUC-N O-XUUC-N
元件数量 1 1 1 1 1 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 260 260 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
断态重复峰值电压 600 V 600 V 600 V 1200 V 1200 V 600 V
重复峰值反向电压 600 V 600 V 600 V 1200 V 1200 V 600 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 40 40 40 NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR
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