Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 1 X 0.40 MM, LEADLESS, TLP, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| 包装说明 | 1 X 0.40 MM, LEADLESS, TLP, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.43 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 250 ns |
| 最大开启时间（吨） | 70 ns |
| CET3904EBK | ABSM32A-03.999MHZ-S-Z | CET3904ETR | CET3906ETR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 1 X 0.40 MM, LEADLESS, TLP, 3 PIN | Series - Fundamental Quartz Crystal | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 1 X 0.40 MM, LEADLESS, TLP, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.40 MM, LEADLESS, TLP, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最高工作温度 | 150 °C | 60 °C | 150 °C | 150 °C |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
| 包装说明 | 1 X 0.40 MM, LEADLESS, TLP, 3 PIN | - | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | 1 X 0.40 MM, LEADLESS, TLP, 3 PIN |
| 针数 | 3 | - | 3 | 3 |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR | - | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | - | 0.2 A | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V | - | 40 V | 40 V |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 | - | 30 | 30 |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 | - | R-PBCC-N3 | R-PBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | - | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | - | NPN | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.43 W | - | 0.43 W | 0.43 W |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 300 MHz | - | 300 MHz | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 250 ns | - | 250 ns | 250 ns |
| 最大开启时间（吨） | 70 ns | - | 70 ns | 70 ns |
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