Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | BUTTON |
| 包装说明 | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | HIGH SPEED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间 | 18 µs |
| 配置 | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V |
| 最大维持电流 | 600 mA |
| JEDEC-95代码 | TO-200AB |
| JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大漏电流 | 50 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 8000 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最大通态电流 | 620000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 1180 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值 | 50000 µA |
| 断态重复峰值电压 | 1000 V |
| 重复峰值反向电压 | 1000 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
