Low Noise Amplifier with Bypass Mode SMT, 4.8 - 6.0 GHz
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 包装说明 | QFN-16 |
| 针数 | 16 |
| 制造商包装代码 | HCP-16-3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 特性阻抗 | 50 Ω |
| 构造 | COMPONENT |
| 增益 | 10 dB |
| 最大输入功率 (CW) | 30 dBm |
| JESD-609代码 | e0 |
| 安装特点 | SURFACE MOUNT |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最大工作频率 | 6000 MHz |
| 最小工作频率 | 4800 MHz |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | LCC16,.12SQ,20 |
| 电源 | 3/5 V |
| 射频/微波设备类型 | WIDE BAND LOW POWER |
| 最大压摆率 | 55 mA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | GAAS |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| HMC604LP3 | HMC604LP3E | HMC604LP3TR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Low Noise Amplifier with Bypass Mode SMT, 4.8 - 6.0 GHz | Low Noise Amplifier with Bypass Mode SMT, 4.8 - 6.0 GHz | Low Noise Amplifier with Bypass Mode SMT, 4.8 - 6.0 GHz |
| Brand Name | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 针数 | 16 | 16 | 16 |
| 制造商包装代码 | HCP-16-3 | HCP-16-3 | HCP-16-3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 安装特点 | SURFACE MOUNT | SURFACE MOUNT | SURFACE MOUNT |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | LCC16,.12SQ,20 | LCC16,.12SQ,20 | LCC16,.12SQ,20 |
| 电源 | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V |
| 射频/微波设备类型 | WIDE BAND LOW POWER | WIDE BAND LOW POWER | WIDE BAND LOW POWER |
| 最大压摆率 | 55 mA | 55 mA | 55 mA |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | GAAS | GAAS | GAAS |
| 包装说明 | QFN-16 | QFN-16 | - |
| 特性阻抗 | 50 Ω | 50 Ω | - |
| 构造 | COMPONENT | COMPONENT | - |
| 增益 | 10 dB | 10 dB | - |
| 最大输入功率 (CW) | 30 dBm | 30 dBm | - |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | - |
| 最大工作频率 | 6000 MHz | 6000 MHz | - |
| 最小工作频率 | 4800 MHz | 4800 MHz | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) | - |
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