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2MBI450VN-170-50

产品描述IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小382KB,共6页
制造商FUJI
官网地址http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd/
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2MBI450VN-170-50概述

IGBT

2MBI450VN-170-50规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR

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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
2MBI450VN-170-50
IGBT MODULE (V series)
1700V / 450A / 2 in one package
High speed switching
Voltage drive
Low Inductance module structure
Inverter for Motor Drive
AC and DC Servo Drive Amplifier
Uninterruptible Power Supply
Industrial machines, such as Welding machines
Absolute Maximum Ratings (at T
C
=25°C unless otherwise specified)
Symbols
V
CES
V
GES
IGBT Modules
Features
Applications
Maximum Ratings and Characteristics
Items
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Inverter
Collector current
Conditions
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
C
Continuous
1ms
1ms
1 device
I
C pulse
-I
C
-I
C pulse
Collector power dissipation
P
C
Junction temperature
T
j
Operating junction temperature (under switching conditions)
T
jop
Storage temperature
T
stg
between terminal and copper base (*1)
Isolation voltage
V
iso
between thermistor and others (*2)
Mounting (*3)
-
Screw torque
Terminals (*4)
-
Maximum ratings
1700
±20
600
450
900
450
900
2500
175
150
-40 ~ 125
3400
3.5
4.5
Units
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
AC : 1min.
Note *1: All terminals should be connected together during the test.
Note *2: Two thermistor terminals should be connected together, other terminals should be connected together and shorted to base plate during the test.
Note *3: Recommendable Value : 2.5-3.5 Nm (M5)
Note *4: Recommendable Value : 3.5-4.5 Nm (M6)
Electrical characteristics (at T
j
= 25°C unless otherwise specified)
Symbols
I
CES
I
GES
V
GE (th)
V
CE (sat)
(terminal)
V
CE (sat)
(chip)
R
G (int)
C
ies
t
on
t
r
t
r (i)
t
off
t
f
V
F
(terminal)
V
F
(chip)
t
rr
R
B
Symbols
R
th(j-c)
R
th(c-f)
Items
Zero gate voltage collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter threshold voltage
Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V, I
C
= 450mA
V
GE
= 15V
I
C
= 450A
Collector-Emitter saturation voltage
Inverter
Internal gate resistance
Input capacitance
Turn-on time
Turn-off time
Forward on voltage
Reverse recovery time
Thermistor
Resistance
B value
-
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V, f = 1MHz
V
CC
= 900V
I
C
= 450A
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.3Ω
L
S
= 80nH
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
V
GE
= 0V
I
F
= 450A
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
I
F
= 450A
T = 25°C
T = 100°C
T = 25/50°C
Conditions
Inverter IGBT
Inverter FWD
with Thermal Compound
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
Characteristics
min.
typ.
max.
-
-
3.0
-
-
600
6.0
6.5
7.0
-
2.65
3.10
-
3.10
-
-
3.15
-
-
2.00
2.45
-
2.45
-
-
2.50
-
-
1.67
-
-
40
-
-
900
-
-
400
-
-
100
-
-
1300
-
-
100
-
-
2.45
2.90
-
2.75
-
-
2.70
-
-
1.80
2.25
-
2.10
-
-
2.05
-
-
250
-
-
5000
-
465
495
520
3305
3375
3450
Characteristics
min.
typ.
max.
-
-
0.06
-
-
0.10
-
0.0167
-
Units
mA
nA
V
V
Ω
nF
nsec
V
nsec
Ω
K
Units
°C/W
Thermal resistance characteristics
Items
Thermal resistance(1device)
Contact thermal resistance (1device) (*5)
Note *5: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.
1
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