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SN74AUP2G06YFPR

产品描述Low-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 6-DSBGA -40 to 85
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小2MB,共25页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74AUP2G06YFPR概述

Low-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 6-DSBGA -40 to 85

SN74AUP2G06YFPR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA6,2X3,16
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptiLow-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-XBGA-B6
JESD-609代码e1
长度1.17 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型INVERTER
最大I(ol)0.004 A
湿度敏感等级1
功能数量2
输入次数1
端子数量6
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA6,2X3,16
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC)0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Su19.3 ns
传播延迟(tpd)19.3 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.4 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度0.77 mm

SN74AUP2G06YFPR相似产品对比

SN74AUP2G06YFPR SN74AUP2G06DCKR SN74AUP2G06DRYR SN74AUP2G06DSFR
描述 Low-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 6-DSBGA -40 to 85 Low-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 6-SC70 -40 to 85 Low-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 6-SON -40 to 85 Low-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 6-SON -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA SOIC SON SON
包装说明 VFBGA, BGA6,2X3,16 TSSOP, TSSOP6,.08 VSON, SOLCC6,.04,20 VSON, SOLCC6,.04,14
针数 6 6 6 6
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-XBGA-B6 R-PDSO-G6 R-PDSO-N6 S-PDSO-N6
JESD-609代码 e1 e4 e4 e4
长度 1.17 mm 2 mm 1.45 mm 1 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 INVERTER INVERTER INVERTER INVERTER
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
湿度敏感等级 1 1 1 1
功能数量 2 2 2 2
输入次数 1 1 1 1
端子数量 6 6 6 6
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA TSSOP VSON VSON
封装等效代码 BGA6,2X3,16 TSSOP6,.08 SOLCC6,.04,20 SOLCC6,.04,14
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法 TR TR TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.01 mA 0.01 mA 0.0009 mA 0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Su 19.3 ns 19.3 ns 19.3 ns 19.3 ns
传播延迟(tpd) 19.3 ns 19.3 ns 19.3 ns 19.3 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO
座面最大高度 0.5 mm 1.1 mm 0.6 mm 0.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 BALL GULL WING NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.4 mm 0.65 mm 0.5 mm 0.35 mm
端子位置 BOTTOM DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 0.77 mm 1.25 mm 1 mm 1 mm
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器)
Factory Lead Time 1 week 1 week - 1 week
Samacsys Descripti Low-Power Dual Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs LOW-POWER DUAL INVERTER BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS - LOW-POWER DUAL INVERTER BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS
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