Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 100V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS, I4PAK-5
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Littelfuse |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T5 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | COMPLEX |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 62 A |
最大漏源导通电阻 | 0.011 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T5 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
FMP76-01T | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 100V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS, I4PAK-5 |
厂商名称 | Littelfuse |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T5 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | COMPLEX |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 62 A |
最大漏源导通电阻 | 0.011 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T5 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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