Low-Power Dual Buffer Gate 6-SON -40 to 85
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SON |
| 包装说明 | VSON, SOLCC6,.04,14 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 系列 | AUP/ULP/V |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-N6 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 1 mm |
| 负载电容（CL） | 30 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSON |
| 封装等效代码 | SOLCC6,.04,14 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.2/3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.0009 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 25.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 25.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 0.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.35 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SN74AUP2G34DSFR | SN74AUP2G34DRYR | SN74AUP2G34YFPR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Low-Power Dual Buffer Gate 6-SON -40 to 85 | Low-Power Dual Buffer Gate 6-SON -40 to 85 | Low-Power Dual Buffer Gate 6-DSBGA -40 to 85 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SON | SON | BGA |
| 包装说明 | VSON, SOLCC6,.04,14 | VSON, SOLCC6,.04,20 | VFBGA, BGA6,2X3,16 |
| 针数 | 6 | 6 | 6 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 系列 | AUP/ULP/V | AUP/ULP/V | AUP/ULP/V |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-N6 | R-PDSO-N6 | R-XBGA-B6 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e1 |
| 长度 | 1 mm | 1.45 mm | 1.17 mm |
| 负载电容（CL） | 30 pF | 30 pF | 30 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER | INVERTER | INVERTER |
| 最大I（ol） | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 输入次数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 6 | 6 | 6 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VSON | VSON | VFBGA |
| 封装等效代码 | SOLCC6,.04,14 | SOLCC6,.04,20 | BGA6,2X3,16 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | GRID ARRAY |
| 包装方法 | TR | TR | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 1.2/3.3 V | 1.2/3.3 V | 1.2/3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.0009 mA | 0.0009 mA | 0.0009 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 25.5 ns | 25.5 ns | 25.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 25.5 ns | 25.5 ns | 25.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 0.4 mm | 0.6 mm | 0.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | BALL |
| 端子节距 | 0.35 mm | 0.5 mm | 0.4 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1 mm | 1 mm | 0.77 mm |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
| Factory Lead Time | - | 6 weeks | 1 week |
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