MAGX-000035-SB1PPR,MAGX-000035-SB1PPR pdf中文资料,MAGX-000035-SB1PPR引脚图,MAGX-000035-SB1PPR电路-Datasheet-电子工程世界

MAGX-000035-SB1PPR: 产品描述S BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小921KB，共7页; 制造商MACOM; 官网地址http://www.macom.com

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MAGX-000035-SB1PPR概述

S BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

S波段, GaN, N沟道, 射频功率, HEMFET

参数名称	属性值
端子数量	2
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT
表面贴装	Yes
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构	SINGLE
壳体连接	SOURCE
元件数量	1
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM NITRIDE
通道类型	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	HIGH ELECTRON MOBILITY
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	RF POWER
最大漏电流	1.2 A
最高频带	S BAND

	MAGX-000035-SB1PPR	MAGX-000035-030000_15
描述	S BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET	S BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
端子数量	2	2
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
表面贴装	Yes	Yes
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构	SINGLE	SINGLE
壳体连接	SOURCE	SOURCE
元件数量	1	1
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM NITRIDE	GALLIUM NITRIDE
通道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	HIGH ELECTRON MOBILITY	HIGH ELECTRON MOBILITY
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	RF POWER	RF POWER
最大漏电流	1.2 A	1.2 A
最高频带	S BAND	S BAND

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