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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 普通整流桥> BR68
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BR68

产品描述6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    普通整流桥   
文件大小146KB，共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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BR68概述

6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

BR68规格参数

参数名称属性值
PackageBR3
Maximum recurrent peak reverse voltage800
Maximum average forward rectified curre3
Peak forward surge curre125
Maximum instantaneous forward voltage1.1
Maximum reverse curre10
TJ(℃）-55～+150

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BR605-BR610
Silicon Bridge Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 6.0 A
Features
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to 125 Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
16.0± 0.4
10.8± 0.5
BR3
φ
1.1± 0.1
16.0± 0.4
10.8± 0.5
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
Mounting: thru hole for # 6 screw
mounting
φ
3.84 TYP.
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BR605 BR61
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
BR62 BR64 BR66 BR68 BR610 UNITS
200
140
200
400
280
400
6.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
at 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
125
20 MIN
8.0± 0.4
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
1.0
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

BR68相似产品对比

BR68 BR605 BR61 BR610 BR62 BR64 BR66
描述 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
Package BR3 BR3 BR3 BR3 BR3 BR3 BR3
Maximum recurrent peak reverse voltage 800 50 50 1000 200 400 600
Maximum instantaneous forward voltage 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1
TJ(℃） -55～+150 -55～+150 -55～+150 -55～+150 -55～+150 -55～+150 -55～+150
Maximum average forward rectified curre 3 3 3 - 3 3 3
Peak forward surge curre 125 300 125 - 125 125 125
Maximum reverse curre 10 10 10 - 10 10 10

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