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SML20J175R3

产品描述175A, 200V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-227, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小197KB,共3页
制造商SEMELAB
标准  
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SML20J175R3概述

175A, 200V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-227, 4 PIN

SML20J175R3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMELAB
零件包装代码SOT-227
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)3600 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)175 A
最大漏源导通电阻0.011 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X4
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)700 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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N-CHANNEL
POWER MOSFET
SML20J175
Fast Switching and Low leakage
100% Avalanche Tested
Popular SOT-227 Package
StarMOS is a new generation of high voltage N-Channel
enhancement mode power MOSFET’s. This new technology
minimises the JFET effect, increases packing density and reduces
the on-resistance. StarMOS also achieve faster switching speeds
through optimised gate layout.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TC = 25°C unless otherwise stated)
VDS
VGS
M
ID
IDM
RDS(on)
PD
EAR
EAS
IAR
TJ
Tstg
TL
Drain – Source Voltage
Gate – Source Voltage Continuous
Gate – Source Voltage Transient
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
(1)
On-State Drain-Source Resistance
Total Power Dissipation
Derate Above 25°C
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Single Pulse Avalanche Energy
(4)
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)
(1)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Lead Temperature: 0.063” from Case for 10 sec
200V
±30V
175A
700A
0.011Ω
700W
5.6W/°C
30mJ
3600mJ
175A
-55 to +150°C
-55 to +150°C
300°C
THERMAL / PACKAGE CHARACTERISTICS
Symbols
R
θJC
θJA
Visolation
Torque
Parameters
Thermal Resistance, Junction To Case
Thermal Resistance, Junction To Ambient
RMS Voltage (50-60Hz Sinusoidal waveform from terminals to
mounting base for 1min)
Device Mounting Screws and Electrical Terminations
Min.
Typ.
Max.
0.18
0.40
Units
°C/W
V
2500
1.4
Nm
Notes
(1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
(2) Pulse Width
380us,
δ ≤
2%
(3) See MIL-STD-750 Method 3471
(4) Peak IL = 175A, L = 235μH, RG = 25Ω, Starting TJ = 25°C
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to
verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email:
sales@semelab-tt.com
Document Number 8590
Issue 1
Page 1 of 3
Website:
http://www.semelab-tt.com

SML20J175R3相似产品对比

SML20J175R3
描述 175A, 200V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-227, 4 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 SEMELAB
零件包装代码 SOT-227
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 3600 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 175 A
最大漏源导通电阻 0.011 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XUFM-X4
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 700 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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