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GBU4D

产品描述2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小156KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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GBU4D概述

2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2.8 A, 200 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4D规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流2.8 A
加工封装描述20.80 × 18 MM, 3.30 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-4
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压200 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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GBU4A-GBU4M
Silicon Bridge Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 4.0 A
Features
Ideal for printed circuit board
7.9± 0.2
22.3± 0.3
3.7± 0.35
GBU
4 45°
3.8± 0.2
Reliable low cos t cons truction utilizing m olded
plas tic technique
Plas tic m aterrial has U/L flam m ability clas s ification
94V-O
Mounting pos ition: Any
Glass passivated chip junctions
2.2± 0.2
-
AC
+
1.9± 0.3
18.7± 0.2
2.4± 0.2
1.2± 0.15
5.0± 0.3
0.5± 0.15
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,60 Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
GBU
4A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard Tc=100
output current
@T
A
=40
GBU
4B
100
70
100
GBU
4D
200
140
200
GBU
4G
400
280
400
4.0
3.0
150.0
GBU
4J
600
420
600
GBU
4K
800
560
800
18.3± 0.5
.9
R1
P.
TY
2.5± 0.2
GBU
4M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
R MS
V
DC
50
35
50
(note 1)
(note 2)
I
F (AV)
Peak f orw ard surge current
8.3ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous f orw ard voltage
at 2.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=125
(note 2)
(note 1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
I
F SM
A
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJC
T
J
T
STG
100
1.0
5.0
500.0
45
22.0
4.2
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μ
A
pF
/W
Typical junction capacitance per leg (note 3)
Typical thermal resistance per leg
N OTE: 1. Unit case m ounted on 1.6x1.6x0.06" thick (4.0x4.0x0.15cm ) AI. Plate.
2. U nits m ounted on P.C .B. with 0.5x0.5" (12x12m m) copper pads and 0.375" (9.5m m ) lead length.
3. Measured at 1.0 MH z and applied rev erse v oltage of 4.0 v olts.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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描述 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
状态 ACTIVE - ACTIVE - TRANSFERRED DISCONTINUED ACTIVE
二极管类型 桥式整流二极管 - BRIDGE RECTIFIER DIODE - 桥式整流二极管 桥式整流二极管 桥式整流二极管
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