Mixer Diode, X Band, 400ohm Z(V) Max, 9dB Noise Figure, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Dynex |
| 包装说明 | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT-IN NIP DIODE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大二极管电容 | 0.15 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | MIXER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.2 V |
| 频带 | X BAND |
| 最大阻抗 | 400 Ω |
| JESD-30 代码 | O-CEMW-N2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大噪声指数 | 9 dB |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最大工作频率 | 12 GHz |
| 最小工作频率 | 8.2 GHz |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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