电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

KBP201

产品描述2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    普通整流桥   
文件大小83KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

KBP201概述

2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

KBP201规格参数

参数名称属性值
PackageKBP
Maximum recurrent peak reverse voltage100
Maximum average forward rectified curre2
Peak forward surge curre80
Maximum instantaneous forward voltage1.1
Maximum reverse curre10
TJ(℃)-55~+150

KBP201相似产品对比

KBP201 KBP202 KBP203 KBP204 KBP205 KBP206 KBP207
描述 2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER,1-PHASE FULL-WAVE,800V V(RRM),BR-7W 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
Package KBP KBP - KBP - KBP -
Maximum recurrent peak reverse voltage 100 200 - 400 - 600 -
Maximum average forward rectified curre 2 2 - 2 - 2 -
Peak forward surge curre 80 80 - 80 - 80 -
Maximum instantaneous forward voltage 1.1 1.1 - 1.1 - 1.1 -
Maximum reverse curre 10 10 - 10 - 10 -
TJ(℃) -55~+150 -55~+150 - -55~+150 - -55~+150 -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 196  271  638  647  700 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved